Micron Technology, uno de los principales fabricantes mundiales de semiconductores de memoria, anunció una ambiciosa inversión de 24.000 millones de dólares para construir una planta de fabricación avanzada en Singapur. Sin embargo, la instalación no comenzará a producir hasta el segundo semestre de 2028, y no alcanzaría su plena capacidad hasta dentro de una década, por lo que su impacto inmediato en la actual escasez global de memoria será nulo.

La planta estará dedicada a la producción de obleas de última generación, clave para el desarrollo de memorias DRAM y NAND utilizadas en servidores, centros de datos, dispositivos móviles e inteligencia artificial. Pero, como muchas otras iniciativas del sector, se trata de una respuesta estratégica a mediano y largo plazo, no a la coyuntura actual.

El anuncio se produce en un contexto de presión global para reforzar las cadenas de suministro de semiconductores, con especial énfasis en reducir la dependencia de Asia Oriental. Aunque la nueva planta se instalará en Singapur —uno de los hubs clave de manufactura tecnológica del Sudeste Asiático—, Micron también ha respondido a las exigencias de relocalización industrial en Estados Unidos: este mes confirmó un proyecto aún mayor en Nueva York, con una inversión prevista de 100.000 millones de dólares, que podría gestionar hasta el 40?% de su producción de DRAM en suelo estadounidense para la década de 2040.

Pese a estas apuestas a gran escala, el mercado actual sigue lidiando con una oferta restringida. Empresas como Samsung, SK Hynix y la propia Micron han sido reticentes a expandir rápidamente su capacidad, priorizando en cambio la transición a estándares de mayor rentabilidad como HBM (High Bandwidth Memory) y LPDDR, que son clave para aplicaciones en IA y dispositivos móviles de alta gama.